2N5062G
विनिर्देश
श्रेणी:
असतत सेमीकंडक्टर उत्पाद थाइरिस्टर एससीआर
वोल्टेज - राज्य पर (वीटीएम) (अधिकतम):
1.7 वी
उत्पाद की स्थिति:
अप्रचलित
माउंटिंग प्रकार:
छेद से
पैकेज:
थोक
वर्तमान - ऑफ स्टेट (अधिकतम):
10 µA
श्रृंखला:
-
वर्तमान - स्थिति पर (यह (एवी)) (अधिकतम):
510 एमए
एमएफआर:
एकमुश्त
आपूर्तिकर्ता उपकरण पैकेज:
TO-92 (TO-226)
वर्तमान - राज्य पर (यह (आरएमएस)) (अधिकतम):
800 एमए
वोल्टेज - ऑफ स्टेट:
100 वी
परिचालन तापमान:
-40 डिग्री सेल्सियस ~ 110 डिग्री सेल्सियस
करंट - गेट ट्रिगर (आईजीटी) (अधिकतम):
200 µA
वोल्टेज - गेट ट्रिगर (वीजीटी) (अधिकतम):
800 एमवी
पैकेज / मामला:
TO-226-3, TO-92-3 लंबा शरीर
एससीआर प्रकार:
संवेदनशील गेट
करंट - होल्ड (Ih) (अधिकतम):
5 एमए
मूल उत्पाद संख्या:
2एन5062
करंट - नॉन रिप. सर्ज 50, 60 हर्ट्ज़ (आईटीएसएम):
10ए @ 60हर्ट्ज़
परिचय
एससीआर 100 वी 800 एमए संवेदनशील गेट के माध्यम से छेद TO-92 (TO-226)
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छवि | भाग # | विवरण | |
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![]() |
NYC008-6JRLREG |
SCR 600V 800MA TO92
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एमसीआर100-8आरएल |
THYRISTOR SCR 0.8A 600V TO92
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एमसीआर716टी4 |
THYRISTOR SCR 4A 400V DPAK
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